半導體封裝的UBM製程 (Under Bump Metallization) 中的濺鍍鈦功能做為濺鍍銅與底材之間的黏著層與擴散阻障層。如果鈦蝕刻不完全,會造成電性短路 (Short Circuit) 或漏電 (Leakage Current);如果鈦蝕刻過度,將造成底切 (undercut) 問題,影響電子元件可靠度。
早期半導體製程常使用氫氟酸進行鈦蝕刻,但容易損傷元件的其他金屬層。添鴻科技的酸性氟鹽系列鈦蝕刻液可以有效抑制對Cu、Al、LF solder的蝕刻率。
如果客戶廠區無法處理含氟廢水或是考量人員操作時意外接觸到含氟配方的健康危害風險,添鴻科技提供鹼性雙氧水系列鈦蝕刻液。並且克服雙氧水在鹼性環境自生裂解放熱反應造成的異常溫升問題,確保製程穩定與工業安全。
對應先進封裝的Fine Line RDL與Microbump元件尺寸日益縮小,添鴻科技也提供low undercut的鈦蝕刻液產品。
添鴻科技鈦蝕刻液分類如下
類別 | 鹼性雙氧水系列 | 酸性氟鹽系列 |
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主要成分 | 雙氧水 | 氫氟酸或氟鹽 |
pH | pH 8 ~ 9 | pH < 3 |
使用方式 | A、B雙劑混和或與雙氧水混合後使用 | 單劑直接使用 |