半導體封裝製程使用濺鍍銅做為UBM層 (Under Bump Metallization),在凸塊 (Bump) 與RDL (線路重佈,Redistribution Layer) 的電鍍製程中讓電流均勻導通整片晶圓的晶種層 (Seed Layer)。如果UBM蝕刻不完全,將造成電性短路 (Short Circuit) 或漏電流 (Leakage Current);如果UBM蝕刻過度,將造成凸塊底切 (undercut) 或是RDL線寬過窄 (CD loss) 問題,影響電子元件可靠度。
添鴻科技提供多款高品質的銅蝕刻液,滿足一般RDL、Copper Pillar Bump、LF Bump製程需求。對於半導體先進封裝製程也提供Fine Line RDL、Microbump、Cu/Ni/Au RDL、Ni/Au Pad元件的銅蝕刻液解決方案。
添鴻科技銅蝕刻液分類如下
類別 | 過硫酸鹽系列 | 磷酸雙氧水系列 | 有機酸系列 |
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適用製程 | Cu RDL | RDL Copper Pillar Bump LF Bump |
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其他特色 | Fine Line RDL Microbump Cu/Ni/Au RDL Ni/Au Pad |